Новая память phase-change RAM в 1000 раз быстрее флэш-памяти!

Пока флэш отвоевывает позиции у жестких дисков, производители уже вовсю работают над следующим поколение энергонезависимой памяти.
Корпорация Sharp объявила о том, что она совместно с Национальным институтом передовой отраслевой науки и технологий (National Institute of Advanced Industrial Science & Technology) Японии разработала технологию управления RRAM-памятью, которая в 100 раз быстрее распространенной флэш-памяти. Новая технология позволит упростить создание и использование чипов RRAM, что должно поспособствовать скорейшему внедрению памяти RRAM.

Еще более выдающегося результата удалось добиться инженерам IBM, Macronix (Тайвань) и Qimonda (Германия), которые совместно разработали память phase-change RAM (PRAM), которая обещает быть в 500-1000 (!) раз быстрее существующей флэш-памяти, потребляя при этом в 2 раза меньше электроэнергии. IBM планирует начать массовое производство PRAM только в 2015 году, в то время как конкуренты также ведут разработку схожих технологий. Например, Samsung обещает начать внедрение PRAM-памяти уже в 2008 году, правда, эта память будет быстрее флэш-памяти всего в 30 раз. Остальные производители планируют перейти на PRAM к началу следующего десятилетия.

Энергонезависимая память будущего может вытеснить не только жесткие диски, но и быструю оперативную память. Напомним также, что летом американская компания Freescale объявила о массовом производстве памяти MRAM, которая по своим характеристикам заметно превосходит флэш-память.