Главная > Технологии > Новая память phase-change RAM в 1000 раз быстрее флэш-памяти!
Новая память phase-change RAM в 1000 раз быстрее флэш-памяти!18 декабря 2006. Разместил: Buc |
|
Еще более выдающегося результата удалось добиться инженерам IBM, Macronix (Тайвань) и Qimonda (Германия), которые совместно разработали память phase-change RAM (PRAM), которая обещает быть в 500-1000 (!) раз быстрее существующей флэш-памяти, потребляя при этом в 2 раза меньше электроэнергии. IBM планирует начать массовое производство PRAM только в 2015 году, в то время как конкуренты также ведут разработку схожих технологий. Например, Samsung обещает начать внедрение PRAM-памяти уже в 2008 году, правда, эта память будет быстрее флэш-памяти всего в 30 раз. Остальные производители планируют перейти на PRAM к началу следующего десятилетия. Энергонезависимая память будущего может вытеснить не только жесткие диски, но и быструю оперативную память. Напомним также, что летом американская компания Freescale объявила о массовом производстве памяти MRAM, которая по своим характеристикам заметно превосходит флэш-память. Вернуться назад |